Disulfure de molybdène () est devenu un matériau très polyvalent pour les diodes Schottky de nouvelle génération en raison de ses propriétés électroniques et optiques accordables. Comme décrit dans [24]le passage de La bande interdite d’un écart indirect de 1,2 eV en masse à un écart direct dans les monocouches (1,8 eV) permet un contrôle précis du transport des électrons, ce qui est crucial pour améliorer la mobilité des charges et réduire les pertes de recombinaison. Cette accordabilité est particulièrement avantageuse pour les diodes Schottky, où l’intégration de avec des contacts en or, comme le montre ce travail, améliore considérablement les performances de rectification et réduit les inhomogénéités à l’interface métal-semi-conducteur [5]. présente également une forte interaction lumière-matière et un coefficient d’absorption élevé, en particulier dans le spectre visible, ce qui en fait un excellent candidat pour les dispositifs optoélectroniques hautes performances, tels que les photodétecteurs et les cellules solaires [26,32]. De plus, multicouche comme le souligne [14]permet la modulation du couplage intercouche, ce qui est essentiel pour améliorer la concentration des porteurs et les vitesses de commutation dans les transistors à effet de champ (FET). De plus, il a été démontré que la capacité à contrôler les densités de défauts, tels que les lacunes en soufre, améliore la hauteur de la barrière Schottky et les performances globales des diodes, ce qui rend idéal pour les applications à haute sensibilité [3]. Pour l’avenir, un domaine de recherche prometteur implique l’utilisation de solutions traitées pour la fabrication évolutive de diodes Schottky. Les techniques de revêtement par rotation, telles que celles démontrées dans [50]offrent un contrôle précis du dépôt de films, ce qui est essentiel pour régler la hauteur de la barrière Schottky et améliorer les performances globales des diodes. De plus, l’ingénierie des postes vacants et les stratégies de dopage [9,11] peut optimiser la concentration en porteurs et les propriétés de barrière, ce qui rend idéal pour les applications à faible consommation et à haute sensibilité. Une autre direction intéressante est l’exploration d’hétérostructures hybrides qui combinent avec d’autres dichalcogénures de métaux de transition (TMD) [51,52]. Ces hétérostructures de Van der Waals offrent des améliorations significatives en termes de mobilité de charge et de réduction des courants de fuite, qui sont cruciaux pour les applications dans l’électronique flexible et portable. De plus, les hétérostructures de avec d’autres matériaux ont démontré une stabilité et des performances améliorées dans les applications de photodétection et catalytiques [28,53]. Ces avancées suggèrent que est bien adapté aux applications haute fréquence et haute puissance où les matériaux traditionnels sont confrontés à des limites [24]. Les propriétés électriques réglables et la stabilité à haute température de le rendent particulièrement adapté aux applications à haute puissance [24,30]. Alors que la recherche sur les systèmes électroniques de basse dimension s’accélère, offre des propriétés quantiques uniques qui peuvent améliorer considérablement les performances des dispositifs par rapport aux semi-conducteurs massifs. Confinement quantique dans conduit à un transport amélioré des électrons, ce qui le rend idéal pour les applications à grande vitesse et haute fréquence [2]. C’est pourquoi pourrait jouer un rôle dans l’avenir de l’électronique avancée, notamment en permettant le développement de composants et de dispositifs électroniques plus petits, plus rapides et plus économes en énergie, tels que des transistors et des photodétecteurs. [9,17]qui intègrent des contacts Schottky. Les recherches futures sur les hétérostructures, le traitement des solutions et la miniaturisation seront essentielles pour réaliser pleinement le potentiel de pour les technologies de nouvelle génération [2,4,9,24,32,50].
Notre recherche vise à contribuer à cette base de connaissances en expansion en fournissant une compréhension plus complète des propriétés électroniques d’un contact Schottky basée sur des méthodes bidimensionnelles. . Modélisation d’un plaquette avec des caractéristiques électroniques similaires à celles bidimensionnelles comme le confinement électronique dans deux plans, ce travail explore l’interaction complexe entre les barrières électroniques, les dimensions du système et leur influence ultérieure sur le flux de courant à travers à base de diodes Schottky. Ces informations sont cruciales pour la conception et l’optimisation des futurs appareils.
Cette chronique a été reproduite de la manière la plus claire que possible. Dans la mesure où vous désirez apporter quelques explications concernant le thème « Apprentis de Mantes-la-Jolie » vous avez la possibilité de joindre notre journaliste responsable. Ce post a été choisi par le site ifa-mantes.fr en ligne pour la seule raison qu’il se présentait dans les interfaces d’un média voué au sujet « Apprentis de Mantes-la-Jolie ». La fonction de ifa-mantes.fr étant de trier sur internet des données autour de Apprentis de Mantes-la-Jolie et les diffuser en répondant du mieux possible aux questions de tout le monde. Il y aura de multiples développements sur le sujet « Apprentis de Mantes-la-Jolie » dans peu de temps, on vous incite à consulter notre site plusieurs fois.